Ce FET à double hétérostructure a été développé par l’Imec et présenté à la conférence IEDM.

L’institut belge de recherches en nanoélectronique Imec a développé et présenté lors de la conférence IEDM qui se tient cette semaine aux Etats-Unis une architecture innovante de transistor à effet de champ à double hétérostructure en nitrure de gallium (GaN) sur silicium (Si). Cette architecture simple et robuste, selon l’Imec, est destinée à la réalisation de circuits de commutation de puissance caractérisés par de faibles fuites et une tension de claquage élevée.

L’Imec a obtenu une tension de claquage d’environ 1000V en faisant croître des couches de SiN, AlGaN GaN et AlGaN sur un substrat de silicium.

Le transistor à double hétérostructure ainsi réalisé présente une tension de claquage de 980V et une résistance passante dynamique de 3,5mohmxcm2.