Les transistors bipolaires de Diodes adoptent le format miniature

Le 24/03/2010 à 13:29 par Philippe Dumoulin

Encapsulés dans des boîtiers PowerID5, ces transistors consomment une surface de carte inférieure de 47 % à celle occupée par un composant en SOT223. L’américain Diodes annonce ses premiers transistors en boîtiers miniatures CMS PowerDI5, dont l’empreinte sur la carte est de 26 mm². Ce qui correspond à une surface inférieure de 47 % et 60 % à celle occupée par des composants en boîtiers SOT223 et DPAK, respectivement.

En termes de hauteur, le gain est également significatif puisque celle-ci est désormais de 1,1 mm, et non plus de 1,65 mm (SOT223) ou 2,3 mm (DPAK).
Avec une surface de cuivre de 25×25 mm sur un circuit imprimé FR-4 simple face, correspondant à une résistance thermique jonction-ambiante de 75 °C/W, la puissance maximale dissipée est au mieux de 3,2 W.

Les premiers modèles adoptant ce nouveau boîtier sont une douzaine de transistors NPN ou PNP dont la tenue en tension s’échelonne entre 60 V et 400 V.

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