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NXP améliore le facteur de forme de ses Mosfet et de ses transistors bipolaires

Rédigé par  mercredi, 06 novembre 2013 09:39
NXP améliore le facteur de forme de ses Mosfet et de ses transistors bipolaires

La société lance une gamme de 25 modèles de Mosfet à faible RDS(on) et de transistors bipolaires à tension de saturation limitée, encapsulés dans des boîtiers miniatures de 1,1x1x0,37 mm.

NXP Semiconductors introduit ses premiers transistors en boîtiers DFN (Discrete flat no-leads) à bas profil, à destination des applications de gestion d'énergie et de commutation de charge dans les environnements pour lesquels les contraintes d'encombrement sont fortes.

La gamme comprend pas moins de 25 références. Il est ici question de Mosfet à faible résistance RDS(on) (34 mOhms min.) et de transistors bipolaires à tension de saturation collecteur-émetteur limitée (au mieux 70 mV) ou d'usage général.

Pour les produits monopuces, le boîtier est de type DFN1010-D3 (SOT1215) à trois contacts. Pour les versions à deux puces, le boîtier est de type DFN1010-B6 (SOT1216) à six contacts.

Malgré les faibles dimensions de ces boîtiers, soit 1,1x1x0,37 mm, la puissance maximale dissipée est de 1 W.

Les Mosfet couvrent la plage 12 V à 80 V, alors que le courant de drain atteint 3,2 A. Pour les transistors bipolaires de 30 V ou 60 V, le courant collecteur maximal est de 2 A en continu et de 3 A en mode impulsionnel. Ils sont par ailleurs qualifiés AEC-Q101.

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