Micron et Hynix ont présenté des mémoires flash Nand MLC de 128 et 64 Gbits fabriquées en technologie Cmos planaire 16 nm.

San Francisco – Micron a présenté à ISSCC une flash MLC (deux bits par cellule) de 128 Gbits en technologie Cmos planaire 16 nm, optimisée pour les disques durs SSD avec un temps d’accès de 45 µs en lecture et de 1185 µs en écriture, tandis que SK Hynix a décrit une flash Nand MLC de 64 Gbits. Afin de s’affranchir des effets néfastes de la miniaturisation des géométries de gravure, les deux fabricants ont notamment réussi à étendre la capacité du circuit à calquer la plage de tension de mesure de bit Vt sur la plage naturelle de la cellule mémoire.