Les V-Nand de Samsung en rajoutent une couche

Le 04/07/2014 à 8:42 par Frédéric Rémond

Le sud-coréen utilise des mémoires flash verticales à 32 couches dans ses derniers disques durs SSD haut de gamme.

Samsung vient de lancer les 850 Pro, nouveau haut de gamme dans sa famille de disques durs SSD à mémoires V-Nand. Pour l’occasion, ces mémoires flash à architecture verticale passent à 32 couches de cellules mémoire, contre 24 pour les modèles de l’an passé.

Rappelons que la technologie tridimensionnelle V-Nand permet d’augmenter la densité des mémoires flash sans utiliser de géométries de lithographie trop fines (les nouveaux modèles Samsung exploitent toujours sans doute la technologie 40 nm de leurs prédécesseurs) et en s’affranchissant des interférences entre cellules.

Moins de bruit en lecture et en écriture, donc des algorithmes plus simples de correction d’erreurs, ce qui participe à l’augmentation de la vitesse (Samsung parle d’un gain x2 en usage typique) et de l’efficacité énergétique (consommation réduite de moitié).

Avec un objectif fixé à 1 Tbits par puce d’ici 2017, nul doute que le sud-coréen va continuer à empiler les couches dans ses prochaines générations de mémoires flash V-Nand, pour l’heure dévolues au marché des SSD pour des raisons de coût.

 

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