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Infineon abaisse les pertes de ses IGBT 650V

Rédigé par  jeudi, 29 janvier 2015 17:05
Infineon abaisse les pertes de ses IGBT 650V

Optimisés pour les applications de commutation entre 50Hz et 20kHz, les IGBT de la famille L5 affichent une tension de saturation de 1,05V ou 1,1V seulement, à 25°C.

Infineon Technologies introduit une nouvelle famille d’IGBT 650V caractérisés par une faible tension de saturation VCE(sat). Ces composants sont optimisés pour une fréquence de commutation comprise entre 50Hz et 20kHz. Sont ainsi concernés : les alimentations sans interruption (UPS) et les onduleurs pour les applications photovoltaïques et de soudage.

Cette famille dite L5 exploite la technologie Trenchstop 5 sur wafer mince de l’allemand. A 25°C, la tension de saturation est donnée pour 1,05V (IGBT de 35A) ou 1,1V (IGBT de 75A). Les pertes réduites en régime de conduction qui en résultent vont ainsi permettre, selon la société, d’améliorer le rendement jusqu’à 0,1% ou 0,3% selon la topologie (NPC 1 ou NPC 2). Et ce simplement en remplaçant les IGBT Trenchstop existants par ceux issus de la génération L5. Pour ce qui est des pertes en commutation, celles-ci sont de 1,6 mJ (25°C, 30A).

Les premiers IGBT L5 sont des modèles de 30A ou 75A en boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches, incluant ou non une diode silicium ultra-rapide.

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