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Mémoires Nand 3D : Samsung n'est plus seul

Rédigé par  lundi, 30 mars 2015 07:32
Mémoires Nand 3D : Samsung n'est plus seul

Toshiba et le couple Intel/Micron échantillonnent à leur tour des mémoires flash Nand à 32 ou 48 couches.

Pionnier des mémoires flash à empilement vertical ou V-Nand avec des modèles notamment utilisés pour ses disques durs SSD, Samsung n'est désormais plus seul sur ce créneau. Intel et Micron viennent ainsi de présenter leurs premières V-Nand communes, des modèles à 32 couches embarquant jusqu'à 256 Gbits (versions MLC, en cours d'échantillonnage) et 384 Gbits (versions TLC, échantillonnage prévu d'ici l'été).

De son côté, Toshiba a démarré l'échantillonnage de mémoires flash V-Nand de 128 Gbits à deux bits par cellule. Ces mémoires à 48 couches (soit davantage que chez Samsung et Intel/Micron) seront produites en volume dans la nouvelle usine de Yokkaichi du japonais au premier semestre 2016.

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