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Une faible résistance record pour un transistor de 650V en GaN

Rédigé par  jeudi, 02 juillet 2015 14:48
Une faible résistance record pour un transistor de 650V en GaN

Le commutateur de puissance 650V/50A de l’israélien VisIC Technologies est crédité d’une résistance à l’état passant de 12mOhms seulement.

VisIC Technologies annonce un transistor de puissance en nitrure de gallium dont la tension de blocage est de 650V. La particularité de ce commutateur de puissance, destiné aux applications de conversion d’énergie, réside dans sa faible résistance à l’état conducteur, soit 12mOhms.

Ce qui, selon la jeune société israélienne, constitue la valeur de RDS(on) la plus basse de l’industrie pour un transistor de 650V.

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