Toshiba compacte ses transistors de puissance pour amplificateurs audio

Le 29/09/2015 à 8:42 par Philippe Dumoulin

Les 2SA1943N (canal P) et 2SC5200N (canal N) sont encapsulés dans un boîtier TO-3P(N), dont les dimensions sont de 15,9×40,5×4,8mm.

Toshiba Electronics Europe introduit un couple de transistors bipolaires miniatures destinés aux étages de sortie des amplificateurs de puissance pour les applications audio haute définition. Référencés 2SA1943N (canal P) et 2SC5200N (canal N), ceux-ci sont encapsulés dans un boîtier TO-3P(N) de 15,9×40,5×4,8mm, bien plus compact que le TO-3P(L)adopté par les 2SA1943 et 2SC5200 de génération précédente. Pour autant la capacité de dissipation de puissance, soit 150W, reste similaire.

Le 2SA1943N affiche une tension collecteur-émetteur maximale de -230V et un courant collecteur nominal de -15A. Pour le 2SC5200N, ces valeurs sont de 230V et de 15A.

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