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Renesas échantillonne des IGBT de huitième génération

Rédigé par  vendredi, 11 mars 2016 09:56
Renesas échantillonne des IGBT de huitième génération

Les six IGBT de 650V ou 1250V annoncés par le japonais entendent réduire les pertes énergétiques dans les onduleurs solaires et les alimentations UPS.

Renesas Electronics a procédé à l'échantillonnage de six IGBT de huitième génération (G8H). Dans le détail, il est ici question de modèles de 650V, dont les calibres en courant sont de 40A, 50A et 75A, et de modèles de 1250V en versions de 25A, 40A et 75A. Ces intensités de courant sont données pour une température de boîtier de 100°C. Par rapport à la génération précédente, ces composants offrent une vitesse de commutation supérieure et une tension de saturation plus faible (1,5V pour les IGBT de 650V, 2,1V pour les IGBT de 1250V) afin de limiter les pertes en régime de conduction. L'indice de performance, soit le produit des pertes de commutation par le Vce(sat), a ainsi été amélioré de 30 %.

Ces IGBT supportent une température de jonction de 175°C et sont proposés dans des boîtiers TO-247 ou TO-247 plus (pour les versions de 1250V avec diode). Les applications et marchés ciblés sont les onduleurs photovoltaïques, les alimentations UPS, la commande de moteurs industriels et la correction du facteur de puissance. La production en volume de ces IGBT est prévue pour septembre 2016.

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