Electroniques.biz

Renesas planche sur la flash MONOS en process FinFET

Rédigé par  vendredi, 09 décembre 2016 08:59
Renesas planche sur la flash MONOS en process FinFET

Le japonais développe des cellules de mémoire flash SG-MONOS adaptées aux technologies de production FinFET 14/16 nm.

Renesas Electronics a développé des cellules de mémoire flash SG-MONOS (split-gate metal-oxide nitride oxide silicon) adaptées aux technologies de production de type FinFET. Ce type de mémoire flash est actuellement utilisé par le japonais dans des microcontrôleurs fabriqués en process planaire 40nm et, bientôt, 28nm. Le fabricant démontre ainsi sa viabilité future sur des technologies FinFET 14/16nm, avec des fréquences de fonctionnement espérées supérieures à 200MHz et une endurance similaire à celle des modèles actuels. L'arrivée de tels microcontrôleurs n'est toutefois pas attendue avant 2023.

25 juillet 2017
24 juillet 2017
20 juillet 2017

Embarqué
SARA-N Module NB-IoT 1er module cellulaire bas débit dédié applications IoT uBlox, premier fabricant au monde à [...]
Pour communiquer sur vos produits,
alrouaud@newscoregie.fr - 01 75 60 28 61

Sondage express

Technologies émergentes
Parmi ces applications émergentes pour l'électronique, quelle est celle que vous estimez être la plus prometteuse pour l'électronique française ?
Pour toute question, merci de nous contacter
01/09/2017 - 06/09/2017
IFA
13/09/2017 - 15/09/2017
Medlab Europe
14/09/2017 - 19/09/2017
IBC
18/09/2017 - 20/09/2017
ECOC
19/09/2017 - 21/09/2017
Enova Paris
21/09/2017 - 21/09/2017
Innovation Day 2017
04/10/2017 - 05/10/2017
Intelligent Building Systems
04/10/2017 - 05/10/2017
Smart City + Smart Grid