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Renesas planche sur la flash MONOS en process FinFET

Rédigé par  vendredi, 09 décembre 2016 08:59
Renesas planche sur la flash MONOS en process FinFET

Le japonais développe des cellules de mémoire flash SG-MONOS adaptées aux technologies de production FinFET 14/16 nm.

Renesas Electronics a développé des cellules de mémoire flash SG-MONOS (split-gate metal-oxide nitride oxide silicon) adaptées aux technologies de production de type FinFET. Ce type de mémoire flash est actuellement utilisé par le japonais dans des microcontrôleurs fabriqués en process planaire 40nm et, bientôt, 28nm. Le fabricant démontre ainsi sa viabilité future sur des technologies FinFET 14/16nm, avec des fréquences de fonctionnement espérées supérieures à 200MHz et une endurance similaire à celle des modèles actuels. L'arrivée de tels microcontrôleurs n'est toutefois pas attendue avant 2023.

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