Le centre de R&D belge a développé une structure de transistor GaaFET en germanium autour d’un nanofil mesurant seulement 9nm de diamètre.

A l’occasion du Symposium sur les circuits et technolgies VLSI de Kyoto, l’Imec vient de présenter des transistors FET en germanium basés sur une structure GaaFET (gate-all-around FET) 9nm, une première dans l’industrie selon le centre belge de recherche et développement en microélectronique. Ils ont été fabriqués sur une plateforme de fabrication sur tranches de 300mm, grâce à des avancées techniques susceptibles d’apporter également des améliorations aux transistors FinFET germanium.

Ces transistors GaaFET sont basés sur un nanofil de 9nm de diamètre et une grille de 40nm de long. Ces travaux sont conduits en coordination avec les partenaires de l’Imec tels que Globalfoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, Hynix, Sony et TSMC.