Electroniques.biz

Toshiba complète son catalogue de Mosfet 40V en tranchée

Rédigé par  mardi, 21 novembre 2017 10:21
Toshiba complète son catalogue de Mosfet 40V en tranchée

Le TPH1R204PB bénéficies des dernières avancées de la technologie U-MOS-IX-H du japonais. Il convient aux applications nécessitant de faibles niveaux d'IEM.

Toshiba Electronics Europe introduit un nouveau Mosfet en tranchée exploitant sa technologie U-MOS-IX-H de dernière génération. Ce transistor de 40V, avec diode à recouvrement doux intégrée, convient au redressement synchrone au secondaire des alimentations à découpage, lorsqu'un faible niveau d'interférences électromagnétiques (IEM) est requis.

Référencé TPH1R204PB, ce Mosfet canal N affiche une résistance maximale à l'état passant de 1,2 mOhm (à VGS=10V et ID=50A). La charge de grille est de 62 nC (en valeur typique), alors que la charge en sortie (Qoss) n'excède pas 56 nC. Le transistor est proposé dans un boîtier SOP Advance, dont les dimensions sont de 5x6x0,95mm.

18 février 2018
16 février 2018
15 février 2018
14 février 2018
13 février 2018
12 février 2018

Composants
Nouvelle génération de drivers LED - Série ELG Mean Well, notre partenaire, introduit sur le marché une nouvelle génération de drivers LED, la [...]
Pour communiquer sur vos produits,
alrouaud@newscoregie.fr - 01 75 60 28 61

Sondage express

Technologies émergentes
Parmi ces applications émergentes pour l'électronique, quelle est celle que vous estimez être la plus prometteuse pour l'électronique française ?
Pour toute question, merci de nous contacter
26/02/2018 - 01/03/2018
Mobile World Congress
27/02/2018 - 01/03/2018
Embedded World
01/03/2018 - 04/03/2018
Salon international de la santé Medical Expo 2018
21/03/2018 - 22/03/2018
RF & Microwave
21/03/2018 - 22/03/2018
MtoM & Objets connectés - Embedded Systems
03/04/2018 - 04/04/2018
Kuwait Health 2018