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Moins de 0,6 mOhm de RDS(on) pour un Mosfet 25 V/100A

Rédigé par  mercredi, 06 décembre 2017 09:25
Moins de 0,6 mOhm de RDS(on) pour un Mosfet 25 V/100A

Oeuvre de Vishay Intertechnology, le Mosfet en tranchée SiRA20DP est crédité d'une résistance maximale à l'état passant de 0,58 mOhm pour une tension grille-source de 10V.

Vishay Intertechnology introduit un Mosfet de puissance canal N de 25V/100A tirant profit de sa technologie TrenchFET Gen IV. Ce transistor référencé SiRA20DP est crédité d'une résistance maximale à l'état passant (RDS(on)) de seulement 0,58 mOhm à VGS=10V (0,82 mOhm max. à 4,5V). Ce qui, pour un Mosfet 25V de sa catégorie, constituerait un record. Il est également crédité d'une charge de grille totale limitée à 61 nC et d'un facteur de mérite de 0,035 Ohm.nC.

Le SiRA20DP est proposé dans un boîtier PowerPAK SO-8, dont les dimensions sont de 6x5 mm. Du fait de ses faibles pertes en régime de conduction, il constitue notamment un excellent choix pour réaliser la fonction OU dans les architectures d'alimentation redondantes. Son excellent facteur de mérite se révèle quant à lui avantageux pour les convertisseurs DC-DC et les alimentations à découpage, ou pour réaliser des commutateurs de charge.

 

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