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UnitedSiC améliore les performances de ses Fet en carbure de silicium

Rédigé par  mercredi, 14 novembre 2018 11:07
UnitedSiC améliore les performances de ses Fet en carbure de silicium

Les Fet en boîtiers TO-247-3L de la série série UF3C Fast constituent une solution de remplacement aux IGBT et aux Mosfet en silicium ou en carbure de silicium

UnitedSiC annonce la série UF3C Fast de FET en carbure de silicium en boîtiers standard de type TO-247-3L. La tenue en tension est ici de 650V ou 1200V. Ces transistors sont proprosés selon la topologie cascode propriétaire de l'américain. Celle-ci permet d'obtenir un comportement d'interrupteur normalement ouvert ("normally-off"). Par rapport aux Fet de la série UF3C antérieure, la vitesse de commutation a été poussée et le rendement amélioré.

Ces Fet constituent une solution de remplacement aux IGBT, aux Mosfet en silicium et aux Mosfet en carbure de silicium. Ils ciblent une large palette d'applications pratiquant la commutation dure (redresseurs actifs, étages en totem-pole de correction du facteur de puissance...) dans les secteurs des télécoms, des serveurs et des systèmes de charge pour les véhicules électriques.

La série est forte de trois éléments, à savoir les UF3C120040K3S (1200 V/35 mΩ), UF3C065030K3S (650 V/30 mΩ) et UF3C065040K3S (650 V/42 mΩ).

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