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Le pilote de grille pour Mosfet SiC améliore le rendement des étages de puissance

Rédigé par  vendredi, 01 mars 2019 10:36
Le pilote de grille pour Mosfet SiC améliore le rendement des étages de puissance

Le SIC1182K de la famille " Scale-iDriver" de Power Integrations conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts.

Sous la référence SIC1182K, Power Integrations complète sa famille "Scale-iDriver" de pilotes de grille isolés pour les Mosfet à base de carbure de silicium. Ce driver cible les onduleurs de moyenne et de forte tension. En valeur de pointe, le courant de grille atteint ici ±8 A à une température de jonction de 125°C. De ce fait, le SIC1182K conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts, et ce sans ajout d'un étage booster externe. Quant à la fréquence de commutation, elle peut être de 150 kHz.

Comme ses prédécesseurs, le circuit fait appel à la technologie FluxLink propriétaire. L'intérêt de celle-ci est d'éviter l'usage de photocoupleurs ou d'une barrière capacitive pour obtenir une isolation galvanique de 1200V. S'ajoutent nombre de protections : détection de la désaturation, verrouillage en cas de tension trop basse au primaire et au secondaire, clamping actif...

Le SIC1182K est encapsulé dans un boîtier eSOP, respectant des distances d'isolement (distance d'isolement dans l'air et longueur des lignes de fuite) de 9,5mm. Par quantité de 10000 pièces, son prix unitaire des de 4,65$.

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