Electroniques.biz

Troisième génération de Dram DDR4 8 Gbits chez Samsung

Rédigé par  lundi, 25 mars 2019 12:14
Troisième génération de Dram DDR4 8 Gbits chez Samsung

Le sud-coréen augmente de plus de 20 % la productivité des lignes de production de ses mémoires Dram DDR4.

Samsung Electronics a mis au point sa troisième génération de mémoires Dram DDR4 de 8Gbits en technologie 1znm (gravure entre 10nm et 19nm), avec à la clé un gain de productivité de plus de 20% par rapport à la génération précédente. La production en volume démarrera au second semestre 2019, à temps pour équiper les serveurs et ordinateurs haut de gamme lancés en 2020. Fabriquées sur le site sud-coréen de Pyeongtaek sans avoir recours à une gravure par ultraviolets extrêmes (EUV), ces mémoires seront validées sous forme de modules de 8Go en collaboration avec un grand fabricant de microprocesseurs. 

6 décembre 2019
5 décembre 2019
4 décembre 2019
3 décembre 2019
2 décembre 2019

Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
Pour communiquer sur vos produits,
al.rouaud@electroniques.biz - 01.53.90.17.15

Sondage express

Technologies émergentes
Parmi ces applications émergentes pour l'électronique, quelle est celle que vous estimez être la plus prometteuse pour l'électronique française ?
Pour toute question, merci de nous contacter