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Les modules IGBT haute tension d'Infineon adoptent un nouveau boîtier

Rédigé par  mardi, 30 avril 2019 09:27
Les modules IGBT haute tension d'Infineon adoptent un nouveau boîtier

L'allemand présentera lors de la manifestation PCIM des modules IGBT de 3,3 kV dans un boîtier XHP 3 à faible facteur de forme.

Lors de la manifestation PCIM Europe, qui se tiendra à Nuremberg du 7 au 9 mai 2019, Infineon exposera de nouveaux modules IGBT haute tension destinés aux applications de puissance entre 3,3 et 6,5 kV. La particularité de ces modules tient à leur nouveau boîtier dit XHP 3, de construction symétrique et à faibles inductances parasites. Il en résulte des performances améliorées en régime de commutation.


Les dimensions du boîtier XHP 3 sont de 140x100x40 mm (longueur, largeur, hauteur). Les premiers modules en tirant profit sont des modèles de 3,3 kV en topologie demi-pont, dont le courant nominal est de 450A. Afin de répondre à la demande de ses clients, Infineon propose deux classes d'isolement : 6 kV (FF450R33T3T3E3) et 10,4 kV (FF450R33T3E3_B5). Les terminaisons soudées par ultrasons, un substrat en nitrure d'aluminium (AlN) ainsi qu'une semelle en aluminium-carbure de silicium (AlSiC) garantissent un haut niveau de fiabilité et de robustesse. Aux fins d'évolutivité, la mise en parallèle des modules est possible. Pour simplifier la tâche des concepteurs, Infineon entend proposer des modules groupés, ayant des caractéristiques statiques et dynamiques appariées.

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