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Microchip fait le forcing en composants discrets SiC

Rédigé par  vendredi, 03 mai 2019 08:42
Microchip fait le forcing en composants discrets SiC

La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

Via sa filiale Microsemi, Microchip annonce la mise en production de composants de puissance en carbure de silicium. Cela concerne pas moins de 35 produits discrets prenant la forme de Mosfet de 700V et de diodes Schottky de 700V et 1200V. Ceux-ci viennent compléter un portefeuille existant de modules de puissance SiC. Les nouveaux venus entendent améliorer le rendement, la densité de puissance et la robustesse des systèmes embarqués dans les véhicules électriques, ou destinés aux applications industrielles ou autres.

Ces transistors et diodes permettent de commuter plus efficacement à des fréquences supérieures. Ils ont passé avec succès les tests de robustesse à des niveaux considérés comme critiques, garantissant ainsi une fiabilité à long terme. Pour ce qui est des diodes, lorsqu'elles sont soumises à des tests de robustesse UIS (Unclamped Inductive Switching), la société met en avant des performance de 20% supérieures vis-à-vis des diodes Schottky SiC actuelles. Ces tests ont pour objet de mesurer jusqu'à quel point les composants supportent la dégradation ou les pannes précoces en conditions d'avalanche, des situations qui surviennent lorsqu'un pic de tension excède la tension de claquage du composant. Selon l'américain, les Mosfet ont également obtenu de meilleurs résultats que les produits concurrents, y compris après 100 000 cycles de tests UIS répétitifs.

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