Electroniques.biz

La Mram s'embarque en FD-SOI 28 nm

Rédigé par  mercredi, 15 mai 2019 07:41
La Mram s'embarque en FD-SOI 28 nm

ARM, Cadence et Sondrel ont développé un circuit IoT combinant des coeurs Cortex-M33 et de la mémoire Mram sur le process FD-SOI 28 nm de Samsung.

ARM a profité du Samsung Foundry Forum qui se tient actuellement à Santa Clara pour présenter Musca-S1, un circuit test réalisé dans la technologie FD-SOI 28nm du sud-coréen et embarquant une mémoire Mram. Développé en collaboration avec Cadence et Sondrel, ce circuit vise les objets connectés à faible consommation. Il est basé sur des coeurs Cortex-M33, comme les précédents Musca-A1 et B1. Musca-S1 sera disponible à la fin de l'année, ainsi que la carte de développement qui l'accompagne. 

22 juillet 2021
11 juillet 2021
9 juillet 2021
8 juillet 2021
7 juillet 2021
6 juillet 2021
5 juillet 2021

Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
Pour communiquer sur vos produits,
jonathan.starck@fitamant.fr - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
26/07/2021 - 29/07/2021
Satellite 2021
20/08/2021 - 29/08/2021
New York International Auto Show 2021
07/09/2021 - 10/09/2021
Global Industrie - Midest
07/09/2021 - 10/09/2021
Measurement World
22/09/2021 - 24/09/2021
SEIA 2021
22/09/2021 - 23/09/2021
SIDO Lyon
28/09/2021 - 28/09/2021
Optical Wireless Communication Conference
30/09/2021 - 01/10/2021
French Photonics Days
05/10/2021 - 07/10/2021
IoT Solutions World Congress
18/10/2021 - 20/10/2021
AVIC 2021