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Une option de boîtier pour les diodes Schottky G5 1200V en SiC d'Infineon

Rédigé par  vendredi, 17 mai 2019 09:29
Une option de boîtier pour les diodes Schottky G5 1200V en SiC d'Infineon

L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

Infineon Technologies complète sa famille CoolSiC G5 de diodes Schottky 1200V de avec des modèles en boîtiers TO-247-2. Ces diodes en carbure de silicium de cinquième génération de l'allemand sont conçues pour remplacer les diodes silicium. En conjonction avec un IGBT ou un Mosfet à superjonction, elles permettront de gagner jusqu'à 1 point de rendement. Le nouveau boîtier porte à 8,7mm la distance d'isolement. Ce qui permet de les utiliser dans les environnements pour lesquels des conditions de sécurité sont requises.

Ces diodes sont disponibles dans la gamme 10A à 40A (10A, 15A, 20A, 30A, 40A) afin d'adresser un large champ d'application : alimentations secourues (UPS), onduleurs solaires, systèmes de charge des véhicules électriques et autres applications industrielles. Leur tension directe est typiquement de 1,4V, avec un faible accroissement en température.

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