Des Mosfet automobiles plus compacts et plus efficaces chez Toshiba

Le 24/08/2020 à 8:18 par Frédéric Rémond

Le japonais conditionne en boîtier TSON de 3,3×3,6 mm des transistors Mosfet 40 V et 60 V à faible résistance pour applications automobiles.

Toshiba Electronics tire profit de sa technologie U-MOSVIII-H au sein d’une famille de transistors Mosfet canal N pour applications automobiles. Les XPN3R804NC et XPN7R104NC sont spécifiés pour une tension de 40V, alors que les XPN6R706NC et XPN12006NC peuvent fonctionner sous 60V. Le japonais met en avant leur faible résistance à l’état passant, démarrant à 3,8mΩ. Ils sont encapsulés dans des boîtiers miniatures TSON mesurant seulement 3,3×3,6mm, et sont compatibles AEC-Q101.

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