L'ex-activité Mémoires de Toshiba s'apprête à échantillonner des mémoires flash Nand à 112 couches, avec à la clé des gains en densité mais aussi en lecture et en écriture. 

L'américain a mis au point des mémoires flash à très faible consommation pour les objets connectés. 

Le sud-coréen initie la production d'un module de mémoire flash eUFS 2.1 de 1 To pour smartphones haut de gamme.

Le japonais échantillonne des mémoires flash embarquées délivrant jusqu'à 23,2 Gbit/s. 

L'américain propose désormais ses mémoires flash Nor 128 Mbits à 2 Gbits en version AEC-Q100 niveau 1 supportant jusqu'à 125 °C.

Samsung lance la production en volume d'une mémoire eUFS de 256 Go destinée au marché automobile et fonctionnant entre -40 °C et 105 °C, y compris en mode veille.

Le sud-coréen poursuit ses développements en mémoires flash Nand à empilement dotées de cellules stockant quatre bits.

L'américain lance des mémoires flash Nor à interface Quad SPI de 64 et 128 Mbits destinées aux applications automobiles, industrielles et grand public. 

Le japonais développe des cellules de mémoire flash SG-MONOS adaptées aux technologies de production FinFET 14/16 nm.

Le japonais lance une mémoire flash Nand SLC 24 nm d'une capacité de 16 Gbits.