L'américain a mis au point des mémoires flash à très faible consommation pour les objets connectés. 

Le sud-coréen initie la production d'un module de mémoire flash eUFS 2.1 de 1 To pour smartphones haut de gamme.

Le japonais échantillonne des mémoires flash embarquées délivrant jusqu'à 23,2 Gbit/s. 

L'américain propose désormais ses mémoires flash Nor 128 Mbits à 2 Gbits en version AEC-Q100 niveau 1 supportant jusqu'à 125 °C.

Samsung lance la production en volume d'une mémoire eUFS de 256 Go destinée au marché automobile et fonctionnant entre -40 °C et 105 °C, y compris en mode veille.

Le sud-coréen poursuit ses développements en mémoires flash Nand à empilement dotées de cellules stockant quatre bits.

L'américain lance des mémoires flash Nor à interface Quad SPI de 64 et 128 Mbits destinées aux applications automobiles, industrielles et grand public. 

Le japonais développe des cellules de mémoire flash SG-MONOS adaptées aux technologies de production FinFET 14/16 nm.

Le japonais lance une mémoire flash Nand SLC 24 nm d'une capacité de 16 Gbits.

Le fournisseur de composants japonais et le fondeur taiwanais collaborent en flash Monos 28 nm pour microcontrôleurs et processeurs automobiles.