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jeudi, 15 octobre 2020 07:44

Diodes compacte les Mosfet automobiles

Deux transistors Mosfet 40 V conformes AEC-Q101 tiennent désormais dans un boîtier mesurant 3,3x3,3 mm seulement.

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La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches.

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Le dernier Mosfet 25 V de la société offre une résistance à l’état passant de seulement 0,57 mOhm. Soit la valeur la valeur la plus basse obtenue par la société pour ses Mosfet NextPowerS3.

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Qualifiés AEC-Q101, les XPH4R10ANB et XPH6R30ANB affichent de faibles résistances à l’état passant, soit 4,1mΩ et 6,3mΩ, respectivement.

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La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.

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Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.

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vendredi, 13 septembre 2019 10:03

Taiwan Semiconductor élargit son offre de Mosfet

Les doubles Mosfet canal N de 40V et 60V en boîtier PDFN56 offrent une densité de puissance améliorée.

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Le XP236N2001TR est un Mosfet de 30V/2A, alors que le XP264N0301TR est un Mosfet de 60V/0,3A.

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La société étoffe sa gamme PrestoMOS de 30 Mosfet caractérisés par un très faible temps de recouvrement inverse.

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La série SCT3xxxxxxxHR de dix Mosfet en carbure de silicium qualifiés AEC-Q101 est destinée aux convertisseurs DC-DC et aux chargeurs embarqués dans les véhicules électriques.

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