Par rapport aux CoolMOS P7 antérieurs de l’allemand, les CoolMOS 600V de la famille PFD7 offrent notamment un rendement amélioré.

Continental a déjà choisi ce dispositif pour l’intégrer dans son démarreur pour hybride léger 48V.

Cette carte, convenant aux modules de puissance de 1200V/1700V, fait appel à un chipset Hades de la société pour la commande de grille des Mosfet.

La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

Proposé dans un boîtier LFPAK56E, le Mosfet 40V canal N BUK9J0R9-40H affiche une résistance à l'état passant de 0,9mOhm seulement.

L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

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Les CoolSET de cinquième génération pour alimentations à découpage de l'allemand combinent un contrôleur PWM et un Mosfet CoolMOS P7 de 700V/800V.

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.

Oeuvre de Vishay Intertechnology, le Mosfet en tranchée SiRA20DP est crédité d'une résistance maximale à l'état passant de 0,58 mOhm pour une tension grille-source de 10V.

Qualifiés AEC-Q101, les deux derniers Mosfet 40V de ST sont proposés dans un boîtier PowerFLAT 5x6, à refroidissement par les deux faces.