
Infineon étoffe sa gamme de CoolMOS
Par rapport aux CoolMOS P7 antérieurs de l’allemand, les CoolMOS 600V de la famille PFD7 offrent notamment un rendement amélioré.
Infineon et Schweizer annoncent un circuit imprimé intégrant des Mosfet de puissance
Une carte de Cissoid optimise la commande des modules de puissance à base de Mosfet SiC
Cette carte, convenant aux modules de puissance de 1200V/1700V, fait appel à un chipset Hades de la société pour la commande de grille des Mosfet.
Microchip fait le forcing en composants discrets SiC
La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.
Nexperia abaisse les pertes de ses Mosfet basse tension pour l'automobile
Proposé dans un boîtier LFPAK56E, le Mosfet 40V canal N BUK9J0R9-40H affiche une résistance à l'état passant de 0,9mOhm seulement.
Microsemi diminue l'inductance parasite de ses modules Mosfet en SiC
L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.
Une nouvelle génération de CoolSET chez Infineon
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Les CoolSET de cinquième génération pour alimentations à découpage de l'allemand combinent un contrôleur PWM et un Mosfet CoolMOS P7 de 700V/800V.
Toshiba améliore le facteur de mérite de ses Mosfet de puissance 100V pour applications industrielles
Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.
Moins de 0,6 mOhm de RDS(on) pour un Mosfet 25 V/100A
Oeuvre de Vishay Intertechnology, le Mosfet en tranchée SiRA20DP est crédité d'une résistance maximale à l'état passant de 0,58 mOhm pour une tension grille-source de 10V.
STMicroelectronics lance des Mosfet de puissance en petit boîtier pour l'automobile
Qualifiés AEC-Q101, les deux derniers Mosfet 40V de ST sont proposés dans un boîtier PowerFLAT 5x6, à refroidissement par les deux faces.