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Optimisé pour les IGBT et les Mosfet, le SID1183K fait appel à une technologie magnéto-inductive qui évite l'usage de photocoupleurs.

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Les TPH6R30ANL et TPH4R10ANL du japonais sont des Mosfet de 100V commandés par une tension de niveau logique 4,5V.

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Les StrongIRFET 40V en boîtier D2PAK 7pin+ de l'allemand offrent une résistance à l'état passant de 0,65 mOhm seulement.

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Proposé dans un boîtier dLe 2x2mm, le SiA468DJ affiche une résistance à l'état passant de 8,4mOhms, pour un courant de drain de 37,8A.

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Les Mosfet de puissance en boîtier LFPAK33 annoncés par la société affichent une empreinte de 10,9mm², bien inférieure à celle d'un transistor au format DPAK.

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Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

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Exploitant le process en tranchée U-MOS IX-H de la société, les derniers Mosfet de 40V et 45V de Toshiba sont crédités d'un excellent facteur de mérite.

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Nexperia émerge en tant que nouvel acteur dans les composants discrets, circuits logiques et Mosfet.

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mercredi, 01 février 2017 10:04

Vishay abaisse les pertes de ses Mosfet 600 V

La société annonce un Mosfet 600 V à superjonction de quatrième génération, dont le facteur de mérite serait de 25% inférieur à celui de son plus proche concurrent.

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Proposé sous la forme d'une puce nue, le Mosfet canal N CPM3-0900-0010A est crédité d'une résistance à l'état passant de 10mOhms seulement.

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20 janvier 2020
19 janvier 2020
17 janvier 2020
16 janvier 2020
15 janvier 2020
14 janvier 2020

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KONTRON INTRODUIT UNE NOUVELLE FAMILLE DE MACRO-COMPOSANTS La société Kontron GmbH représentée en France par Steliau Technology introduit une nouvelle famille [...]
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