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mercredi, 01 février 2017 10:04

Vishay abaisse les pertes de ses Mosfet 600 V

La société annonce un Mosfet 600 V à superjonction de quatrième génération, dont le facteur de mérite serait de 25% inférieur à celui de son plus proche concurrent.

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Proposé sous la forme d'une puce nue, le Mosfet canal N CPM3-0900-0010A est crédité d'une résistance à l'état passant de 10mOhms seulement.

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Cette réduction se traduit par une réduction des temps morts dans les topologies en pont et en demi-pont et par des pertes moindres dans les commutateurs synchrones en fonctionnement parallèle.

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Les TK3R1E04PL (en boîtier TO-220) et TK3R1A04PL (en boîtier TO-220SIS) affichent typiquement une résistance à l'état passant de 2,5Ohms et une capacité de sortie de 1000pF.

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Conçu pour les applications industrielles, ce Mosfet à forte tension de claquage affiche des pertes de conduction bien inférieures à celles de ses homologues en silicium.

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Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

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Proposé dans un petit boîtier LGA de 1,53x0,77mm, le dernier FemtoFET de Texas Instruments affiche par ailleurs une résistance à l'état passant de 54mOhms seulement.

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Par rapport à la génération précédente, les Mosfet DTMOS V en tranchée profonde de la société afficheront une résistance à l'état passant réduite et un niveau de bruit de commutation plus bas.

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Qualifié AEC-Q101, le TK1R4S04PB en boîtier DPAK+ est crédité d'une résistance à l'état passant inférieure à 1,35 mOhm à 10V.

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Le dernier module du japonais, avec Mosfet et diodes Schottky en SiC, est un modèle de 1200V/300A destiné aux applications de forte puissance.

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