Proposés en versions simples et doubles, ces transistors Mosfet à canal P -40V et -60V du japonais se signalent par leur faible résistance à l'état passant. 

Le japonais commence à équiper une nouvelle usine de production de composants de puissance en carbure de silicium.

Les dernières mémoires Eeprom à bus série I²C du japonais combinent un délai d'écriture de 3,5ms et une plage de température étendue de -40°C à 125°C. 

Ce laboratoire commun basé à Shanghai permettra d'accélérer l'intégration des composants de puissance en carbure de silicium de Rohm dans des sous-systèmes automobiles développés par UAES.

Un modèle intégrant deux amplificateurs opérationnels Cmos rapides vient agrémenter la famille à faible bruit EMARMOUR du japonais.

Les BD9P du japonais combinent un rendement élevé et une grande stabilité de la tension de sortie.

Les deniers transistors Mosfet canal N ou P conformes AEC-Q101 du fabricant bénéficient d'un boîtier miniature de 1x1 mm doté de contacts latéraux simplifiant l'inspection visuelle.

Wolfram Harnack est nommé directeur général de Rohm Semiconductor Europe, une maison qu'il connait bien pour en avoir dirigé les ventes entre 2008 et 2015.

Le japonais lance une famille de circuits de détection de passage à zéro typiquement conçus pour réduire la consommation en veille des appareils électroménagers.