
Rohm soigne la résistance de ses Mosfet canal P
Proposés en versions simples et doubles, ces transistors Mosfet à canal P -40V et -60V du japonais se signalent par leur faible résistance à l'état passant.
Rohm construit une usine de composants SiC
Le japonais commence à équiper une nouvelle usine de production de composants de puissance en carbure de silicium.
Les Eeprom 125°C de Rohm deviennent plus rapides
Les dernières mémoires Eeprom à bus série I²C du japonais combinent un délai d'écriture de 3,5ms et une plage de température étendue de -40°C à 125°C.
SiC : Rohm ouvre un laboratoire avec l'équipementier chinois UAES
Ce laboratoire commun basé à Shanghai permettra d'accélérer l'intégration des composants de puissance en carbure de silicium de Rohm dans des sous-systèmes automobiles développés par UAES.
Rohm multiplie les amplificateurs opérationnels à faible bruit
Un modèle intégrant deux amplificateurs opérationnels Cmos rapides vient agrémenter la famille à faible bruit EMARMOUR du japonais.
Rohm stabilise la sortie de ses convertisseurs DC-DC automobiles
Rohm compacte ses Mosfet automobiles
Les deniers transistors Mosfet canal N ou P conformes AEC-Q101 du fabricant bénéficient d'un boîtier miniature de 1x1 mm doté de contacts latéraux simplifiant l'inspection visuelle.
La direction européenne de Rohm change de tête
Wolfram Harnack est nommé directeur général de Rohm Semiconductor Europe, une maison qu'il connait bien pour en avoir dirigé les ventes entre 2008 et 2015.
Rohm abaisse la consommation en veille des appareils électroménagers
Le japonais lance une famille de circuits de détection de passage à zéro typiquement conçus pour réduire la consommation en veille des appareils électroménagers.