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Grâce à la technologie de carbure de silicium de Rohm, cet accord va permettre à la division de Continental spécialisée dans les groupes motopropulseurs de développer des solutions d’alimentation plus efficaces à destination des véhicules électriques.
Publié dans Vie des entreprises

La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches.

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La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.

Publié dans Semi-conducteurs

Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.

Publié dans Semi-conducteurs

Le modèle UF3C120150K4S de 1200V est crédité d'une résistance à l'état passant de 150 mOhms, en valeur typique.

Publié dans Semi-conducteurs

Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

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La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

Publié dans Semi-conducteurs

Proposés sous la forme de puces nues de dimensions réduites, ces transistors en carbure de silicium seront encapsulés dans le même boîtier que le circuit contrôleur et le Mosfet silicium basse tension requis par la structure cascode.

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La série SCT3xxxxxxxHR de dix Mosfet en carbure de silicium qualifiés AEC-Q101 est destinée aux convertisseurs DC-DC et aux chargeurs embarqués dans les véhicules électriques.

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Le SIC1182K de la famille " Scale-iDriver" de Power Integrations conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts.

Publié dans Semi-conducteurs
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Antennes Cornets en Impression 3D Elliptika Propose une gamme d'antennes cornets en impression 3D de la bande S à la bande Ka permettant [...]
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