Non Punch Through, Punch Through, Soft Punch Through. Ces dénominations s’appliquent aux structures verticales de semiconducteurs de puissance tels que les IGBT et caractérisent le flux des porteurs dans la partie de la puce située sous la grille, près du collecteur. Suivant la structure choisie et l’épaisseur du substrat, il est ainsi possible d’optimiser la tenue en fréquence de fonctionnement, la tension de déchet mais aussi la variation en température de ces paramètres pour faciliter la mise en parallèle des composants.