Samsung a développé une mémoire Dram DDR4 basse consommation de 8 Gbits fabriquée en Cmos 25 nm et délivrant jusqu’à 3,2 Gbit/s par broche sous 1 V.

Samsung a présenté une mémoire Sram 6T basse consommation de 128 Mbits en technologie FinFET 14 nm.

Le numéro 2 est Samsung. Le segment du sans fil a représenté 31% des achats de semi-conducteurs l’an passé, selon IHS.

Une étude d'IHS table sur l'irrésistible prise de pouvoir des architectures tridimensionnelles dans l'industrie des mémoires flash Nand.

Apple actualise plusieurs composants de ses smartphones, mais maintient des marges d'environ 70 %.

Samsung détient la moitié d'un marché évalué à 2,8 Mds$ au deuxième trimestre 2013.