Couverture ElectroniqueS n°127

Avec les AD9081 et AD9082, des circuits à signaux mixtes intégrant de multiples CAN et CNA, il est désormais possible de réaliser des radios multibandes occupant sur la carte le même espace que les radios monobandes. A nalog Devices introduit une plateforme de conversion de données RF à signaux mixtes apte à prendre en charge le traitement des signaux analogiques et numériques des radios 4G LTE, 5G et hyperfréquences. Les briques de base de cette plateforme baptisée MxFE ( Mixed Signal FrontEnd ) sont les convertisseurs de données AD9081 et AD9082, qui intègrent de multiples CAN et CNA. Selon l'américain, avec ces éléments, les fabricants seront en mesure d'implanter des radios multibandes dont l'empreinte est quasi-identique à celle des radios monobandes, triplant ainsi la capacité d'appel actuellement offerte par les stations de base 4G LTE. Avec une bande passante de canal de 1,2GHz, la plateforme donne également la possibilité aux opérateurs sans fil, soucieux d'ajouter des antennes à leurs infrastructures de téléphonie cellulaire, de répondre aux exi-gences accrues, en termes de densité radio et de débit de données, qui caractérisent la nouvelle norme 5G dans les bandes millimétriques. Jusqu'à huit convertisseurs de données rapides En déplaçant davantage de fonctions de filtrage et de translation de fréquence du domaine analogique vers le domaine numérique, les AD9081 et AD9082 entendent simplifier la tâche des concepteurs souhaitant reconfigurer leurs radios par voie logicielle. Outre les infrastructures de communication sans fil, la plateforme MxFE conviendra à d'autres marchés et applications large bande, comme les équipements de test et mesure 5G, le streaming vidéo sur liaisons câblées à haut débit, les radars à commande de phase, les réseaux satellitaires en orbite terrestre basse (LEO)... Réalisés en Cmos 28 nm, les AD9081 et AD9082 embarquent respectivement huit et six convertisseurs de données RF. Dans le premier cas, la décomposition est la suivante : quatre CNA 16 bits (4 x 3 Géch./s à 12 Géch./s) et quatre CAN 12 bits (4 x 1,5 Géch./s à 4Géch./s). Dans le second cas, quatre CNA 16 bits (4 x 3 Géch./s à 12 Géch./s) et deux CAN 12 bits (2x3Géch/s à 6 Géch./s) sont inclus. Les interfaces de données sont conformes aux normes JESD204B et JESD204C. La large bande passante instantanée (jusqu'à 2,4 GHz) offerte a pour effet de réduire le nombre des étages de conversion de fréquence, tout en assouplissant les contraintes relatives au filtrage. Vis-à-vis des solutions traditionnelles, la société estime à 60% le gain de surface sur la carte. La plateforme MxFE traite une partie importante du spectre RF et embarque des fonctions de traitement du signal numé-rique (DSP), permettant aux utilisateurs de reconfigurer les filtres et les blocs de conversion numérique de fréquence, conformément aux besoins spécifiques liés à la bande de fréquence RF. Avec une telle approche, par rapport aux architectures qui gèrent les opérations de conversion et de filtrage RF avec un FPGA, la consommation d'énergie serait divisée par dix. Par ailleurs, de précieuses ressources de traitement au niveau du processeur sont libérées, alors que le choix d'un FPGA moins onéreux est aussi envisageable. Les AD9081 et AD9082 seront échantillonnés en boîtiers BGA-324 (15 x 15 mm) en septembre 2019, pour une production en volume en mars 2020 pour le premier, en décembre 2019 pour le second. Par commande de 1000 pièces, les prix unitaires annoncés sont de 1 487 $ (AD9081) et 1 500 $ (AD9082). SEMI-CONDUCTEURS DISCRETS LES DIODES ET TRANSISTORS EN BOÎTIER SOT23 MONTENT JUSQU'À +175°C D ans sa gamme de transistors et de diodes de commutation en boîtier SOT23 (TO-236AB), Nexperia introduit ses premiers composants spécifiés jusqu'à une température de fonctionnement de +175°C. Il est ici question des diodes de commutation rapide BAS16TH (temps de recouvrement inverse inférieur à 4ns) et haute tension BAS21TH (tension inverse de 200V) et des transistors d'usage général BC807-16H (PNP de 45V/500mA) et BC817K-16H (NPN de 45V/500mA). Tous ces produits sont qualifiés AEC-Q101 pour l'environnement automobile. Par rapport à leurs prédécesseurs fonctionnant jusqu'à +150°C, ces composants haute température affichent une dissipation de puissancede25%supé-rieure. Ce qui permettra de les utiliser dans les applications «sous le capot», incluant les boîtes de vitesses et les entraînements de moteurs, ainsi que pour l'éclairage à Led et autres applications. «Nous célébrons cette année le 50 e anni-versaire du boîtier SOT23, inventé par Philips. Nexperia est le premier à commercialiser un portefeuille de diodes et de transistors SOT23 à +175°C, élargissant ainsi la gamme d'options dont disposent les concepteurs pour les circuits haute température», s'est félicité Mark Roeloffzen, vice-président et directeur général de l'activité composants discrets bipolaires de Nexperia. Le catalogue actuel de diodes et de transistors spécifiés jusqu'à +175°C de la société couvre tous les besoins de puissance jusqu'à 15A. Les boîtiers proposés sont de types DFN, SMD, FlatPower et LFPAK. Ph.C.

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