Qorvo met ses transistors SiC de puissance en module

Le 29/02/2024 à 7:52 par Frédéric Rémond

Plusieurs fabricants de composants de puissance multiplient les modules afin de mâcher une partie du travail de leurs clients. C’est le cas de Qorvo qui vient de présenter quatre modules de puissance 1200V en carbure de silicium (SiC) en boîtier E1B . « L’utilisateur peut dès lors s’occuper du montage, de l’assemblage, de la caractérisation et de la qualification du module complet, et non au niveau de chaque composant discret », explique Ramanan Natarajan, directeur marketing pour la puissance SiC de l’Américain.

Les UFB15C12E1BC3N (15A, 70mΩ) et UFB25SC12E1BC3N (25A, 35mΩ) adoptent une configuration en pont complet, tandis que les UHB50SC12E1BC3N (50A, 19mΩ) et UHB100SC12E1BC3N (100A, 9,4mΩ) sont en demi-pont.  Ces modules peuvent trouver leur place dans des stations de charge de véhicules électriques, le stockage d’énergie, les alimentations industrielles ou encore les installations photovoltaïques.

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