Transistor HEMT GaN large bande

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Transistor HEMT GaN large bande

Rédigé par Pascal Coutance lundi, 12 avril 2010 15:27

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Série RF3931 de RF Micro Devices

Ce transistor RF de puissance, non adapté, offre une large bande passante, une courbe de gain plate et un rendement élevé.

Bande de fréquence : DC à 3 GHz
Tension de drain : 28 V à 48 V
Puissance de sortie : 30 W à P3dB
Rendement en puissance ajoutée : 65 %
Gain : 15 dB à 2 GHz

Rens. www.rfmd.com

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