Mosfet de puissance

Le 29/06/2011 à 15:45 par La Rédaction

Séries IRF6811 et IRF6894 de International Rectifier Destinés aux architectures de conversion DC-DC à découpage, ces transistors à pertes réduites améliorent le rendement énergétique jusqu’à 2 %.

  • Technologie DirectFET
  • Résistance à l’état passant : 0,9 ou 2,8 mOhm à 10 V
  • Charge de grille : 10 ou 4,2 nC
  • Tension de blocage : 25 V

Rens. www.irf.com

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