Les composants SiC de Microchip tiennent 3,3kV

Le 22/03/2022 à 10:18 par Frédéric Rémond

Si la majeure partie des transistors de puissance sont caractérisés pour une tension culminant entre 600 et 900V, certaines applications nécessitent des tenues en tension supérieures, comme par exemple les transformateurs électriques, les moteurs industriels ou encore les systèmes de traction ferroviaire. C’est dans cette optique que Microchip Technology enrichit son catalogue de composants en carbure de silicium (SiC) avec des transistors Mosfet 3,3kV présentant selon lui la plus faible résistance à l’état passant de l’industrie – à partir de 25mΩ.

L’Américain lance également des diodes à barrière Schottky SiC capables de tenir 90A. Tous ces composants sont proposés en boîtier ou sous forme de puce nue.

Copy link
Powered by Social Snap