Les composants SiC de Microchip tiennent 3,3kV

Le 22/03/2022 à 10:18 par Frédéric Rémond

Si la majeure partie des transistors de puissance sont caractĂ©risĂ©s pour une tension culminant entre 600 et 900V, certaines applications nĂ©cessitent des tenues en tension supĂ©rieures, comme par exemple les transformateurs Ă©lectriques, les moteurs industriels ou encore les systèmes de traction ferroviaire. C’est dans cette optique que Microchip Technology enrichit son catalogue de composants en carbure de silicium (SiC) avec des transistors Mosfet 3,3kV prĂ©sentant selon lui la plus faible rĂ©sistance Ă  l’Ă©tat passant de l’industrie – Ă  partir de 25mΩ.

L’AmĂ©ricain lance Ă©galement des diodes Ă  barrière Schottky SiC capables de tenir 90A. Tous ces composants sont proposĂ©s en boĂ®tier ou sous forme de puce nue.

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