Le japonais Renesas lance des SRam basse consommation de 8 Mbits en technologie 110 nm, et planche sur des modèles 16 Mbits.

L'américain échantillonne des Sram asynchrones à correction d'erreurs 16 Mbits.

La mémoire asynchrone à haute fiabilité de Cypress vise les applications industrielles, automobiles, militaires ou médicales.

Cypress lance des Sram QDR-IV délivrant jusqu'à 2132 millions de transactions par seconde.

Samsung a présenté une mémoire Sram 6T basse consommation de 128 Mbits en technologie FinFET 14 nm.

Cypress lance une mémoire Sram Fifo de 72 Mbits destinée à remplacer les Dram dans les applications de mise en tampon vidéo.

L'anglais fabrique ses premiers circuits mémoire dans la technologie FD-SOI 28 nm de ST.

Ces mémoires Sram d’une capacité de 4 Mbits consomment moins de 2 µA en veille.

•       Technologie Cmos 110 nm

RMLV0416E, RMLV0414E et RMLV0408EAMD

Renesas Electronics

www.renesas.com

Ces mémoires offrent la même fiabilité que les modèles 150 nm actuels, et une consommation de seulement 2 µA en veille.