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Mosfet 600 V à superjonction

Rédigé par  samedi, 01 novembre 2014 00:00
Mosfet 600 V à superjonction

Ces transistors s'appuient sur la quatrième génération de Mosfet à superjonction DTMOS IV de la société.

• Courant de drain: 30,8 à 61,8A

• Résistance à l'état passant: 40 à 88mO à 10V

• Charge de grille: 65 à 135nC

• Boîtiers: TO-247, DFN 8x8mm, TO-220, TO-220SIS

Réf. TK31N60X, TK39N60X, TK62N60X Fab. Toshiba Rens. www.toshiba-components.com

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