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Commutateurs de puissance intégrés

Rédigé par  mercredi, 13 septembre 2017 00:00
Commutateurs de puissance intégrés

Ces GFET3 en petit boîtier sont destinés aux tablettes, aux smartphones, aux bracelets de fitness et autres produist à fortes contraintes d'encombrement.

• Intensité: 1 A à 4 A

• Commutateurs nFET ou pFET

• Résistance à l'état passant: 10,5 ou 33 mOhms

• Boîtier WLCSP

• Gamme de température: -40°C à +85°C

Réf. SLG59M1735C, SLG59M1730C, SLG59M1736V Fab. Silego Technology Rens. www.silego.com

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Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
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