Conçus pour les alimentations des équipements télécoms et des serveurs de données, les modules de puissance “intelligents” SiC645 et SiC645A de Vishay permettent la surveillance précise du courant et de la température.

Afin de répondre à la forte demande en énergie des processeurs et des mémoires qui équipent les cartes destinées aux équipements télécoms et aux serveurs de données, Vishay Intertechnology introduit deux blocs de puissance VRPower de 60A. Ces modules combinent une paire de Mosfet de puissance (côté haut et côté bas), un pilote de grille et un FET faisant office de diode de bootstrap. Le tout dans un boîtier PowerPAK MLP55-32L de 5x5x0,66 mm qui peut être refroidi via les deux faces. De faibles résistances et capacités parasites autorisent un fonctionnement jusqu’à une fréquence de commutation de 2MHz. Par rapport aux étages DrMOS standard comparables, l’empreinte sur la carte serait de 16% inférieure. Les SiC645 et SiC645A permettent une surveillance précise de la température et du courant. De telles informations seront exploités par le contrôleur multiphase d’un système de conversion DC-DC.

Ces deux modules acceptent une tension d’entrée comprise entre 4,5V et 18V. Ils offrent des protections contre les températures excessives, les surintensités et les courts-circuits, ainsi que le verrouillage en cas de tension trop faible à l’entrée. La différence entre le SiC645 et le SiC645A se situe au niveau de la compatibilité des niveaux logiques appliqués sur leur entrée PWM, soit 5V pour le premier et 3,3V pour le second.