Cet amplificateur audio classe D à DSP intégré offre 30% de puissance supplémentaire par rapport à la précédente génération.

• Puissance de sortie : jusqu'à 7W avec une distorsion harmonique totale inférieure à 1%

• Bruit en sortie inférieur à 5µV

• Gestion adaptative de la batterie

Réf. CS35L45

Fab. Cirrus Logic

Rens. http://www.cirrus.com

Ce circuit de commande pour Led RVB multicanal conforme au bus automobile MeLiBu offre un delta UV inférieur à 0,01.

• Débit maximal : 2Mbit/s

• Contrôle de luminosité étendu

• Conforme ISO 26262 jusqu'au niveau ASIL B

Réf. MLX81117

Fab. Melexis

Rens. http://www.melexis.com

Ce processeur pour smartphones de milieu de gamme prend en charge trois caméras simultanément et capture des vidéos 4K en mode HDR10+.

• Bloc processeur Kryo 670 à 2,4GHz

• Accélération graphique Adreno 642

• Technologie 5nm

• Modem 5G

Réf. Snapdragon 780G

Fab. Qualcomm

Rens. http://www.qualcomm.com

Jusqu'à huit ports PCIe 3.0 sont gérés par ce commutateur à destination des centres de données, réseaux cloud, systèmes de stockage et infrastructures télécoms.

• Latence de renvoi de paquets inférieure à 150ns

• Buffer d'horloge PCie 3.0

• Consommation à pleine charge : 2,9W

• Boîtier BGA de 15x15mm

Réf. PI7C9X3G808GP

Fab. Diodes

Rens. http://www.diodes.com

Ce module de correction de facteur de puissance gère jusqu'à 2400W dans un encombrement limité à 61x116,8x13,7mm.

• Rendement : jusqu'à 97,3%

• Tension d'entrée : 85VAC à 264VAC

• Courant maximal : 6A

• Tension de sortie nominale non isolée : 400VDC

Réf. Artesyn AIF06ZPFC

Fab. Advanced Energy

Rens. http://www.advancedenergy.com

Destinés à la commande de moteurs BLDC, ces circuits combinent un microcontrôleur RL78/G1F et un bloc de précommande de transistor Mosfet.

• Tension d'alimentation : 6V à 30V ou 42V

• Boîtier QFN de 8x8mm

• Régulation linéaire

• Détection de courant

Réf. RAJ306010, RAJ306001

Fab. Renesas Electronics

Rens. http://www.renesas.com

Ces bobines d'arrêt (chokes) en mode commun sont optimisées pour les liaisons CAN-FD dans l'automobile.

• Valeur d'inductance : 100µH

• Résistance DC : 3Ohms

• Boîtier mesurant 3,2x2,5x2,5mm

• Tenue en tension : 80V

Réf. ACT1210D

Fab. TDK

Rens. http://www.tdk.com

Dépourvu de concentrateur et de bouclier magnétique, ce capteur à effet Hall mesure des courants compris entre 100A et 4000A avec une précision de 1%.

• Architecture différentielle

• Bande passante : 250kHz

• Surveillance des pics de courant et de tension

• Boîtier TSSOP à 8 broches

Réf. ACS37610

Fab. Allegro MicroSystems

Rens. http://www.allegro.com

Ciblant l'automobile, ce transistor Mosfet -80V à canal P présente une résistance à l'état passant sous 10V de 14,3mOhms typique, inférieure de 31% à la précédente génération.

• Conforme AEC-Q101

• Boîtier PowerPAK SO-8L

• Température maximale : 175°C

• Charge de grille : 52nC sous 10V

Réf. SQJA81EP

Fab. Vishay

Rens. http://www.vishay.com

Ce double Mosfet 650V en nitrure de gallium gère des puissances allant jusqu'à 200W.

• Entrées 3,3V à 15V

• Résistance à l'état passant : 225mOhms

• Boîtier GQFN de 9x9x1mm

• Protection contre les blocages, les sous-tensions et les pics de température

Réf. MasterGaN4

Fab. STMicroelectronics

Rens. http://www.st.com