En mode pulsé, le transistor de puissance RF délivre 600 W à 1 GHz

Le 18/09/2013 à 8:00 par Philippe Dumoulin

Tirant profit d’une technologie nitrure de gallium, le dernier transistor de Macom cible les applications radar entre 1030 et 1090 MHz.

Optimisé pour les applications du domaine de l’avionique et des radars, le dernier transistor de puissance RF de Macom est susceptible de délivrer 600 W en mode pulsé, dans la bande 1030 à 1090 GHz. Pour ce faire, le MAGX-001090-600L00 bénéficie d’une technologie GaN sur substrat en carbure de silicium. Ce transistor Hemt 0,5 µm affiche par ailleurs un gain de 21,4 dB et un rendement de 63 %.

Robuste, le nouveau venu supporte un taux de désadaptation de 5:1. Soumis à des tests poussés à haute température, il est donné pour un MTTF de 5,2.106 heures (soit 600 ans environ) à une température maximale de jonction de 200°C.

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