Fujitsu vient de présenter un transmetteur à 70 GHz basé sur une technologie de transistor GAN.

Le fabricant japonais Fujitsu vient de dévoiler la mise au point d’un transmetteur basé sur un amplificateur en nitrure de gallium. Ce circuit, destiné à des applications dans la bande de fréquence de 70 GHz à 100 GHz, serait une première mondiale.

L’amplificateur de puissance réalisé avec un transistor Hemt GaN assure une puissance de sortie de 350mW, tandis que celui en réception est spécifié pour un niveau de bruit de 3,8dB. Selon la société, il s’agit d’une amélioration d’un facteur 4 de la puissance de sortie par rapport à un composant en arséniure de gallium et de 40% en matière de niveau de bruit.

Traduites en utilisation quotidienne, ces performances signifieraient un triplement des distances couvertes par une liaison hyperfréquence utilisant ce composant.