Le fabricant américain de composants radiofréquences vient de qualifier et de fournir son premier composant en nitrure de gallium.

Spécialiste des composants semiconducteurs radiofréquences, l’américain RF Micro Devices vient d’annoncer avoir franchi une étape majeure dans la production de composants en nitrure de gallium. La société a en effet qualifié, sous la référence RF3931 un transistor de puissance 48V 30W en nitrure de gallium pour les applications militaires ou de transmissions sans fil civiles nécessitant de fortes densités de puissance.

Ce transistor est le premier composant en nitrure de gallium de la société à avoir passé avec succès l’ensemble des qualifications pour la mise en production de volume. Sur les deux prochains trimestres, la société compte fournir une gamme de transistors de puissance de 10W à 120W très large bande en nitrure de gallium.