Les transistors de puissance RF en GaN de Cree s’enrobent de plastique

Le 03/06/2014 à 7:57 par Philippe Dumoulin

L’offre de l’américain inclut un transistor de 300W à 2,7GHz, de moitié moins onéreux que son équivalent GaN en boîtier céramique.

A destination des infrastructures sans fil, Cree lance une famille de transistors de puissance RF Hemt en nitrure de gallium proposés dans des boîtiers plastique. En particulier, un modèle large bande délivre 300W à 2,7GHz, avec un rendement en régime saturé de 85%.

Par rapport aux produits GaN en boîtiers céramique, la société annonce un coût pratiquement divisé par deux. Selon l’américain, ce facteur devrait accélérer l’adoption des transistors en GaN dans les applications télécoms afin de remplacer les LDMOS bien établis.

Afin de couvrir les bandes cellulaires jusqu’à 3,8GHz, la famille se décompose en différents éléments de 60, 100, 150, 200 et 300W. Des composants pré-adaptés seront destinés aux bandes 690-960MHz, 1800-2300MHz ou 2300-2700MHz.

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