STMicroelectronics lance des Mosfet de puissance en petit boîtier pour l’automobile

Le 02/06/2017 à 8:57 par Philippe Dumoulin

Qualifiés AEC-Q101, les deux derniers Mosfet 40V de ST sont proposés dans un boîtier PowerFLAT 5×6, à refroidissement par les deux faces.

Pour le marché automobile, STMicroelectronics introduit des Mosfet de puissance en boîtier PowerFLAT 5×6, à refroidissement par les deux faces (DSC, dual-side cooling) afin de faciliter l’évacuation des calories. Référencés STLD200N4F6AG et STLD125N4F6AG, ces Mosfet canal N de la famille STripFET F6 bénéficient d’une nouvelle structure de grille en tranchée. Ils affichent une tenue en tension de 40V, pour un courant de drain de 120A (température de boîtier de 25°C).

Pour le premier cité, la résistance drain-source à l’état passant est typiquement de 1,27 mOhm (1,5 mOhm en valeur maximale). Pour le second cité, la RDS(on) est de 2,4 mOhms et 3 mOhms, en valeurs typique et maximale, respectivement. La charge de grille totale est quant à elle de 172 nC et 91 nC.

Qualifiés AEC-Q101, les STLD200N4F6AG et STLD125N4F6AG sont d’ores et déjà disponibles. Leur prix unitaire démarre à 1,15$, par quantité de 1000 pièces. D’autres références viendront étoffer la famille STripFET cette année.

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