Un peu à part dans le catalogue de Renesas Electronics car basés sur un process spécifique silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB), les microcontrôleurs RE s'enrichissent d'une nouvelle famille, les R7F0E01182xxx. Toujours architecturés autour d'un coeur Cortex-M0+ et destinés aux applications à très faible consommation, ces circuits n'embarquent que 256Ko de mémoire flash (1,5Mo pour les modèles existants) et conviennent donc aux systèmes d'entrée de gamme compacts (boîtier WLBGA de 3,16x2,88mm).
Ils consomment typiquement 25µA/MHz lorsqu'ils utilisent le régulateur LDO interne et 12µA/MHz avec un convertisseur DC-DC externe, pour un courant de veille logicielle de 400nA. Les R7F0E01182xxx tournent jusqu'à 64MHz sous 1,62V à 3,6V. Leur score au banc d'essai EEMBC ULPMark-CP atteint 705, soit bien davantage que les autres microcontrôleurs à basse consommation testés tels que l'ATSAML11E16A de Microchip (410), le STM32L412 de STMicroelectronics (447) et même les Apollo512 d'Ambiq Micro (553).