Le dernier transistor de HEMT GaN sur SiC de M/A-COM cible les applications radar en bande L M/A-COM Technology Solutions complète son offre en matière de transistors de puissance RF avec un modèle HEMT pré-adapté, réalisé selon une technologie nitrure de gallium sur substrat carbure de silicium.
Référencé MAGX-001214-500L00, le nouveau venu cible les applications radar en bande L.
Entre 1,2 et 1,4 GHz, il délivre 500 W en mode pulsé (rapport cyclique de 10 %) avec un gain de 19 dB et un rendement de 55 %.
Sa forte tension de claquage lui permet de fonctionner sous une tension de 50 V. Des formats de boîtier avec ou sans bride sont proposés.