« Un bond en compacité et en bande passante », c’est ainsi que le laboratoire III-V de Palaiseau, commun à Nokia, Thales et le CEA, décrit une photodiode mise au point par ses soins. Présentée lors de la récente European conference on optical communication, cette diode combine une bande passante de 110GHz pour une sensibilité de 0,6A/W et de 85GHz à 0,8A/W, une faible dépendance à la polarisation de la lumière (0,2dB) et des dimensions réduites à 0,4×0,5mm. Elle a été développée dans le cadre du projet européen H2020 5G-PHOS, qui, à son lancement en 2017, visait seulement à atteindre les 60GHz. De telles diodes pourraient être utilisées pour alimenter des réseaux télécoms à fibre optique véhiculant des signaux radio directement en bande de base, pour des connexions de courte distance entre centres de données ou pour les réseaux terrestres et sous-marins de longue distance.